IGBT-модуль SKM100GB12T4
IGBT-модуль SKM100GB12T4 — силовой модуль для промышленной электроники
SKM100GB12T4 — это высоконадежный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для использования в системах с высокими токами и напряжениями. Данный модуль применяется в промышленных приводах, инверторах, сварочных аппаратах, источниках питания, а также в оборудовании для лазерной резки и других высоконагруженных установках.
Модель отличается оптимальным сочетанием высокой коммутационной скорости, надёжности и термостабильности, что делает её идеальным решением для применения в условиях непрерывной эксплуатации.
Технические характеристики:
-
Маркировка: SKM100GB12T4
-
Тип: IGBT-модуль с изолированным основанием
-
Номинальное напряжение (Vces): 1200 В
-
Максимальный ток (Ic): 100 А
-
Тип корпуса: SEMITRANS 2
-
Производитель: SEMIKRON
-
Применение: силовая электроника, преобразователи частоты, инверторы, сварочные установки, ЧПУ, лазерные станки
Преимущества модуля SKM100GB12T4:
-
Надёжность при длительной эксплуатации в условиях высоких нагрузок
-
Эффективное тепловыделение и простота установки
-
Устойчивость к скачкам напряжения и токовым перегрузкам
-
Подходит для работы в автоматизированных системах с высокими требованиями к точности и стабильности
-
Совместимость с широким спектром оборудования
Область применения:
-
Промышленные лазерные комплексы
-
Частотные преобразователи и инверторы
-
Оборудование для сварки и резки металла
-
Электроприводы и системы управления станками
-
Источники бесперебойного питания и силовые блоки
Как купить:
Вы можете заказать IGBT-модуль SKM100GB12T4 через сайт ST Сварочные технологии, воспользовавшись формой быстрой покупки, либо оформить заявку по электронной почте:
📩 info@st-e.info
При необходимости предоставим дополнительную информацию о совместимости, наличии на складе и сроках поставки.
SEMIKRON предлагает IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)
Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT является трехтерминальным силовым полупроводниковым устройством, отличающимся высокой эффективностью и быстрым переключением. IGBT сочетает в себе преимущества биполярных транзисторов высокой скорости коммутации и способности проводить большие токи.
Характеристики:
Канал |
N |
Конфигурация |
Двойная |
Максимальное напряжение коллектор-эмиттера |
1200 V |
Рабочий ток коллектора |
100 A |
Максимальное напряжение эмиттера |
±20V
|
Тип монтажа |
Винтовой |
Тип упаковки |
SEMITRANS®2 |