IGBT модуль SKM1400GB17P4
Представляем вашему вниманию IGBT-модуль SKM1400GB17P4 — мощный полупроводниковый компонент, предназначенный для применения в высоконагруженных промышленных системах.
Технические характеристики:
-
Тип модуля: IGBT полумост (Half-Bridge)
-
Номинальный ток коллектора (I<sub>Cnom</sub>): 1400 А
-
Максимальный ток коллектора (I<sub>C</sub>): до 2452 А при температуре корпуса 25 °C
-
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V<sub>CES</sub>): 1700 В
-
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V<sub>CE(sat)</sub>): 1,84 В при 25 °C
-
Максимальная температура перехода (T<sub>j</sub>): до 150 °C
-
Корпус: SEMITRANS® 10
-
Габариты (Д×Ш×В): 250×90×38 мм
-
Вес: 1,25 кг
-
Изоляция: медное основание с изоляцией, выполненное по технологии DBC (Direct Bonded Copper)
Особенности и преимущества:
-
Технология IGBT 4-го поколения: обеспечивает высокую скорость переключения и низкие потери.
-
Интегрированный резистор затвора: упрощает схему управления и повышает надежность.
-
Мягкое переключение: благодаря встроенному диоду, снижается уровень электромагнитных помех.
-
Высокая способность к циклированию мощности: повышает срок службы модуля в условиях переменных нагрузок.
-
Подходит для высокочастотных приложений: частота коммутации до 20 кГц.
Типовые области применения:
-
Инверторы переменного тока
-
Источники бесперебойного питания (UPS)
-
Электросварочное оборудование
-
Системы привода с переменной частотой
Заказ и доставка:
Мы предлагаем IGBT-модули SKM1400GB17P4. Гарантируем высокое качество продукции и предоставляем техническую поддержку по вопросам интеграции и эксплуатации.
Для оформления заказа или получения консультации свяжитесь с нами по телефону или через форму обратной связи на сайте.
Примечание: В зависимости от условий поставки и объема заказа, возможно предоставление скидок.
UR66.TOP