IGBT модуль SKM150GB12T4
Предлагаем вашему вниманию IGBT-модуль SKM150GB12T4 — надёжный и производительный силовой полупроводниковый элемент, разработанный для применения в современных системах промышленной электроники.
Основные характеристики SKM150GB12T4:
-
Тип модуля: IGBT полумост (Half-Bridge)
-
Номинальный ток коллектора (I<sub>Cnom</sub>): 150 А
-
Максимальный ток коллектора (I<sub>C</sub>): до 232 А при температуре корпуса 25 °C
-
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V<sub>CES</sub>): 1200 В
-
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V<sub>CE(sat)</sub>): 1,8 В при 25 °C
-
Максимальная температура перехода (T<sub>j</sub>): до 175 °C
-
Корпус: SEMITRANS® 2
-
Габариты (Д×Ш×В): 94×34×30 мм
-
Вес: 160 г
-
Изоляция: медное основание с изоляцией, выполненное по технологии DBC (Direct Bonded Copper)
Особенности и преимущества:
-
Технология IGBT 4-го поколения: обеспечивает высокую скорость переключения и низкие потери.
-
Интегрированный резистор затвора: упрощает схему управления и повышает надежность.
-
Мягкое переключение: благодаря встроенному диоду CAL4, снижается уровень электромагнитных помех.
-
Высокая способность к циклированию мощности: повышает срок службы модуля в условиях переменных нагрузок.
-
Подходит для высокочастотных приложений: частота коммутации до 20 кГц.
Типовые области применения:
-
Инверторы переменного тока
-
Источники бесперебойного питания (UPS)
-
Электросварочное оборудование
-
Системы привода с переменной частотой
Заказ и доставка:
Мы предлагаем IGBT-модули SKM150GB12T4. Гарантируем качество продукции и предоставляем техническую поддержку по вопросам интеграции и эксплуатации.
Для оформления заказа или получения консультации свяжитесь с нами по телефону или через форму обратной связи на сайте.
Примечание: В зависимости от условий поставки и объема заказа, возможно предоставление скидок.
UR66.TOP